美媒：面对中国，印对芯片投资再多也白瞎

《华尔街日报》3月16日发表题为《中国如何淹没印度的芯片雄心？》的评论指出，近年来印重点推动中低端半导体产业发展，但中美竞争、中国在半导体领域的积累优势恐彻底压制印半导体产业发展前景。本文作者梅加·曼达维亚（Megha Mandavia）系华尔街日报技术与经济领域专栏作家。

图源：《今日商业》

3月13日，中国台湾力积电董事长黄崇仁表示，拟与印塔塔集团建立合资企业共同运营印古吉拉特邦价值110亿美元的半导体工厂，争取2026年推出印首款28纳米半导体芯片。对于这项合作，莫迪表示“印有望借此成为全球半导体领导者”。然而，印半导体发展事实上面临中低端半导体市场饱和、中国竞争优势大等重大不利因素。

一是中国为应对美欧在尖端芯片领域的出口管制，大规模注资中低端芯片产业，此举势必压缩传统芯片利润，极大阻碍印等国新兴小规模企业发展。据预测，2024年中国新增芯片产能将超过其他国家总和，2027年中国芯片所占全球份额或从2023年的31%增至39%。二是中低端芯片市场趋于饱和，遏制领域投产利润。对此，中国推行超大规模激励措施帮助生产商应对短期亏损。相比之下，印政府债台高筑，不得不在基础设施领域投资大量资金以稳步推进芯片生产进程，因此无力过多注资半导体等资本密集型产业。三是印上游工业能力严重匮乏。美信息技术与创新基金会（ITIF）曾发布报告指出，印不具备将纯度提升至半导体级的能力，而自国外采购必将大幅增加成本。

对印而言，采取对华征收高额关税等保护主义措施或部分解决上述问题，但此举或招致中国反制，招致印新兴电子行业陷入更深不利地位。印电子与半导体协会（IESA）主席阿肖克·钱达克（Ashok Chandak）曾指出，塔塔能否克服阻碍走向成功，对印半导体发展具有标志性意义。然而，若印政府将本不充裕的资金用于资金需求巨大的半导体产业而非基础设施领域，只会面临更大的风险。